Numéro de produit du fabricant:
TSM033NA03CR RLG
Product Overview
Fabricant:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics Numéro de pièce:
TSM033NA03CR RLG-DG
Description:
MOSFET N-CH 30V 129A 8PDFN
Description détaillée:
N-Channel 30 V 129A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5x6)
Inventaire:
20 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12892353
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SOUMETTRE
TSM033NA03CR RLG Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Taiwan Semiconductor
Emballage
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
129A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
3.3mOhm @ 21A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1850 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
96W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-PDFN (5x6)
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN
Numéro de produit de base
TSM033
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
TSM033NA03CRRLGTR
TSM033NA03CR RLGCT
TSM033NA03CRRLGCT
TSM033NA03CR RLGDKR
TSM033NA03CR RLGTR
TSM033NA03CRRLGDKR
TSM033NA03CR RLGDKR-DG
TSM033NA03CR RLGTR-DG
TSM033NA03CR RLGCT-DG
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
BSZ035N03LSGATMA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
BSZ035N03LSGATMA1-DG
PRIX UNITAIRE
0.57
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PRIX UNITAIRE
0.43
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0.22
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